Razpoložljivost: | |
---|---|
Količina: | |
F2N60
WXDH
TO-220F
600V
2a
2a 600V Način izboljšave N-Channe Power MOSFET
1 opis
Te N-kanale, izboljšane VDMOSFET-je, dobimo s samovredno planarno tehnologijo, ki zmanjšuje izgubo prevodnosti, izboljšuje zmogljivost preklopa in izboljšuje energijo plazov. Ki ustreza standardu ROHS.
2 značilnosti
● Hitro preklapljanje
● Nizko odpornost (rdson≤4,5Ω)
● Nizka naboj vrat (Typ: 8NC)
● Kapacitivnosti z nizkim povratnim prenosom (Typ: 3.8pf)
● 100% enojni preskus energije z enim impulzom
● 100% ΔVDS test
3 aplikacije
● Uporablja se v različnih preklopnih vezjih za sistemsko miniaturizacijo in večjo učinkovitost.
● Vklopno stikalo elektronskega balasta in adapterja.
VDS | Rds (on) (typ) | Id |
600V | 4.0Ω | 2a |
2a 600V Način izboljšave N-Channe Power MOSFET
1 opis
Te N-kanale, izboljšane VDMOSFET-je, dobimo s samovredno planarno tehnologijo, ki zmanjšuje izgubo prevodnosti, izboljšuje zmogljivost preklopa in izboljšuje energijo plazov. Ki ustreza standardu ROHS.
2 značilnosti
● Hitro preklapljanje
● Nizko odpornost (rdson≤4,5Ω)
● Nizka naboj vrat (Typ: 8NC)
● Kapacitivnosti z nizkim povratnim prenosom (Typ: 3.8pf)
● 100% enojni preskus energije z enim impulzom
● 100% ΔVDS test
3 aplikacije
● Uporablja se v različnih preklopnih vezjih za sistemsko miniaturizacijo in večjo učinkovitost.
● Vklopno stikalo elektronskega balasta in adapterja.
VDS | Rds (on) (typ) | Id |
600V | 4.0Ω | 2a |