2A 600V N-csatornás továbbfejlesztett üzemmód MOSFET F2N60 TO-220F

2A 600V N-csatornás továbbfejlesztett mód Táp MOSFET

1 Leírás

Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önbeálló síktechnológia biztosítja, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és növeli a lavinaenergiát. Ami megfelel a RoHS szabványnak. 

2 Jellemzők 

● Gyors váltás 

● Alacsony bekapcsolási ellenállás (Rdson≤4,5Ω) 

● Alacsony kaputöltés (Típus: 8nC) 

● Alacsony fordított átviteli kapacitás (Típus: 3,8 pF) 

● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt 

● 100% ΔVDS teszt

3 Alkalmazások

● különféle teljesítménykapcsoló áramkörökben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyság érdekében. 

● Elektron ballaszt és adapter tápkapcsoló áramköre.

VDSS	RDS (be) (TYP)	ID
600V	4,0Ω	2A