2A 600V N-channe এনহ্যান্সমেন্ট মোড পাওয়ার MOSFET
1 বর্ণনা
এই এন-চ্যানেল এনহ্যান্সড VDMOSFETগুলি, স্ব-সংযুক্ত প্ল্যানার প্রযুক্তি দ্বারা প্রাপ্ত হয় যা পরিবাহী ক্ষতি কমায়, সুইচিং কর্মক্ষমতা উন্নত করে এবং তুষারপাত শক্তি বাড়ায়। যা RoHS মান মেনে চলে।
2 বৈশিষ্ট্য
● দ্রুত স্যুইচিং
● লো অন রেজিস্ট্যান্স (Rdson≤4.5Ω)
● কম গেট চার্জ (টাইপ:8nC)
● কম রিভার্স ট্রান্সফার ক্যাপাসিটেন্স (টাইপ:3.8pF)
● 100% একক পালস অ্যাভালাঞ্চ এনার্জি টেস্ট
● 100% ΔVDS পরীক্ষা
3 অ্যাপ্লিকেশন
● সিস্টেম ক্ষুদ্রকরণ এবং উচ্চতর দক্ষতার জন্য বিভিন্ন পাওয়ার সুইচিং সার্কিটে ব্যবহৃত হয়।
● ইলেক্ট্রন ব্যালাস্ট এবং অ্যাডাপ্টরের পাওয়ার সুইচ সার্কিট।
| ভিডিএসএস |
RDS(চালু) (TYP) |
আইডি |
| 600V |
4.0Ω |
2A |