MOSFET F2N60 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 2A 600V

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 2A y 600 V

1 Descripción

Estos VDMOSFET mejorados de canal N se obtienen mediante la tecnología plana autoalineada que reduce la pérdida de conducción, mejora el rendimiento de conmutación y mejora la energía de avalancha. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Cambio rápido 

● Baja resistencia de encendido (Rdson≤4.5Ω) 

● Carga de puerta baja (tipo: 8 nC) 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa (tipo: 3,8 pF) 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS

3 aplicaciones

● utilizado en varios circuitos de conmutación de energía para miniaturización del sistema y mayor eficiencia. 

● Circuito de interruptor de alimentación del balastro electrónico y adaptador.

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
600V	4.0Ω	2A