2A 600V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET F2N60 TO-220F

2A 600V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama

Bu N-kanallı Geliştirilmiş VDMOSFET'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendinden hizalı düzlemsel teknoloji ile elde edilir. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

● Hızlı Geçiş 

● Düşük AÇIK Direnç (Rdson≤4,5Ω) 

● Düşük Geçit Yükü (Tip:8nC) 

● Düşük Ters Transfer Kapasitansları (Tip:3,8pF) 

● %100 Tek Darbeli Çığ Enerjisi Testi 

● %100 ΔVDS Testi

3 Uygulama

● sistemin küçültülmesi ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devrelerinde kullanılır. 

● Elektron balastının ve adaptörün güç anahtarı devresi.

VDSS	RDS(açık)（TYP)	İD
600V	4.0Ω	2A