未命名(1)(8) (1)
cancello
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ti trovi qui: Casa » Prodotti » MOSFET » 400V-1500V N MOS
Modello:
Pacchetto:
V:
UN:
LINEE DI PRODOTTO SELEZIONATE:

400V-1500V NMOS

Immagine Modello Pacchetto V A Scheda tecnica Dettagli Richiesta Aggiungi al carrello
MOSFET di potenza F16N60 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 16 A 600 V F16N60
MOSFET di potenza F5N80 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 5 A 800 V F5N80 TO-220F 800 V 5A 英文版F5N80技术规格书.pdf
MOSFET di potenza F8N60 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 8 A 600 V F8N60 TO-220F 600 V 8A 英文版F8N60技术规格书.pdf
MOSFET di potenza F20N60 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 20 A 600 V F20N60 TO-220F 600 V 20A 英文版F20N60技术规格书(1).pdf
MOSFET di potenza SiC a canale N da 40 A 1200 V DCC075M120G2C TO-247-3 DCC075M120G2C TO-247 1200 V 40A Specifiche del dispositivo DCC075M120G2C.pdf
F6N90 TO-220F F6N90 TO-220F 900 V 6A 英文版F6N90技术规格书.pdf
D7N60TO-252B D7N60 TO-252B 600 V 7A 英文版D7N60技术规格书.pdf
MOSFET di potenza DHD015N06 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 60 A 60 V DHD015N06 TO-252B 60 V 60A Specifiche del dispositivo DHD015N06 (低开启电压50N06）.pdf
MOSFET di potenza DHD7N65 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 7 A 650 V DHD7N65 TO-252B 650 V 7A 英文版DHD7N65技术规格书REV1.1.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 9 A 900 V 9N90 TO-3PN 9N90 TO-3PN 900 V 9A 英文版9N90 3PN技术规格书.pdf
MOSFET di potenza 740 TO-220C in modalità potenziata a canale N da 10 A 400 V 740 TO-220C 400 V 10A Specifiche del dispositivo 740.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 8 A 600 V 8N60 TO-220C 8N60 TO-220C 600 V 8A 英文版8N60技术规格书.pdf
MOSFET di potenza D9N65 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 9 A 650 V D9N65 TO-252B 650 V 9A 英文版D9N65技术规格书(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 20 A 650 V 20N65D TO-3P 20N65D TO-3PN 650 V 20A 英文版20N65D技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 8 A 500 V 8N50 TO-220C 8N50 TO-220C 500 V 8A 英文版8N50技术规格书.pdf
MOSFET di potenza F7N70 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 7 A 700 V F7N70 TO-220F 700 V 7A 英文版F7N70技术规格书.pdf
MOSFET di potenza F10N50 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 10 A 500 V F10N50 TO-220F 500 V 10A 英文版F10N50技术规格书(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 4 A 650 V B4N65 TO-251 B4N65 TO-251 650 V 4A 英文版B4N65X技术规格书X(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 4A 1500V DH4N150B TO-247 DH4N150B TO-247 1500 V 4A 英文版DH4N150B技术规格书.pdf
Transistor epitassiale al silicio NPN 13003G5 TO-126 13003G5

Video del prodotto

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Iscriviti alla nostra newsletter
  • preparati per il futuro
    iscriviti alla nostra newsletter per ricevere gli aggiornamenti direttamente nella tua casella di posta
    Invia
Copyright © 2023​​​​​​​ Tecnologia Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd di leadong.com