-10A -40V MOSFET di potenza modalità potenziamento canale P DH170P04V SOP-8

MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da -10 A -40 V

1 Descrizione 

I mosfet di potenza in modalità di potenziamento del canale P utilizzavano un design avanzato della tecnologia trench, fornivano un eccellente Rdson e una bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS. 

2 Caratteristiche

● Bassa resistenza

● Carica di gate bassa 

● Commutazione rapida 

● Basse capacità di trasferimento inverso

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%. 

● Test ΔVDS al 100%. 

3 applicazioni

● Applicazioni di commutazione di potenza

● Convertitori CC-CC 

● Controllo completo del ponte

VDSS	RDS(acceso)(TIPO)	ID
-40 V	16 mΩ	-10A