-10A -40V PチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET
1 説明
P チャネル エンハンスメント モード パワー MOSFET は高度なトレンチ技術設計を使用し、優れた Rdson と低いゲート電荷を実現しました。 RoHS規格に準拠しています。
2 特徴
●低オン抵抗
● ゲートチャージが低い
●高速スイッチング
● 低い逆伝達容量
● 100%シングルパルスアバランシェエネルギー試験
● 100% ΔVDS テスト
3 アプリケーション
●電源スイッチング用途
●DC-DCコンバータ
●フルブリッジ制御
| VDSS |
RDS(オン)(TYP) |
ID |
| -40V |
16mΩ |
-10A |