-10A -40V Modo de mejora del canal P MOSFET de potencia DH170P04V SOP-8

-10A -40V MOSFET de potencia en modo de mejora del canal P

1 Descripción 

Los mosfets de potencia del modo de mejora del canal P utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características

● Baja resistencia

● Cargo de puerta bajo 

● Cambio rápido 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa.

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones

● Aplicaciones de conmutación de energía

● Convertidores CC-CC 

● Control total del puente

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
-40V	16mΩ	-10A