Kullanılabilirliği: | |
---|---|
Miktar: | |
DH170P04V
WXDH
DH170P04V
SOP-8
-40V
-10a
-10A -40V P -Kanal Geliştirme Modu Power Mosfet
1 Açıklama
P-kanal geliştirme modu güç mosfets, gelişmiş hendek teknolojisi tasarımı kullandı, mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağladı. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
● Direnç düşük
● Düşük kapı şarjı
● Hızlı anahtarlama
● Düşük ters transfer kapasitansları
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Güç değiştirme uygulamaları
● DC-DC dönüştürücüler
● Tam köprü kontrolü
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
-40V | 16mΩ | -10a |
-10A -40V P -Kanal Geliştirme Modu Power Mosfet
1 Açıklama
P-kanal geliştirme modu güç mosfets, gelişmiş hendek teknolojisi tasarımı kullandı, mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağladı. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
● Direnç düşük
● Düşük kapı şarjı
● Hızlı anahtarlama
● Düşük ters transfer kapasitansları
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Güç değiştirme uygulamaları
● DC-DC dönüştürücüler
● Tam köprü kontrolü
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
-40V | 16mΩ | -10a |