-10A -40V P-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DH170P04V SOP-8

-10A -40V P-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama 

P-kanal geliştirme modu güç mosfetleri, gelişmiş hendek teknolojisi tasarımını kullandı ve mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağladı. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler

● Düşük direnç

● Düşük kapı ücreti 

● Hızlı geçiş 

● Düşük ters transfer kapasitansları

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi 

3 Uygulama

● Güç anahtarlama uygulamaları

● DC-DC dönüştürücüler 

● Tam köprü kontrolü

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
-40V	16mΩ	-10A