cancello
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sei qui: Casa » Prodotti » MOSFET » 400V-1500V n MOS
Modello:
Pacchetto:
V:
UN:
Linee di prodotti selezionati:

400V-1500V n Mos

di immagine modello Pacchetto V Una della scheda tecnica di dettaglio richiesta Aggiungi a Basket
Modalità di miglioramento del canale N MOSFET 180A 60V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E To-263 60V 180a DONGHAI+DHS015N06 e DHS015N06E+Foglio dati+Rev.1.0.pdf
4A 800V N-channel Modalità di miglioramento Potenza MOSFET D4N80 TO-252B D4N80 To-252B 800v 4a 英文版 d4n80 技术规格书 .pdf
5A 650 V Modalità di miglioramento N-Canale Potenza MOSFET B5N65 TO-251B B5N65 To-251b 650v 5a 英文版 B5N65 技术规格书 max.pdf
Modalità di miglioramento del canale N MOSFET 5A 650V D5N65-XAD TO-252B D5N65-XAD To-252B 650v 5a 英文版 d5n65-xad 技术规格书 .pdf
7A 700v N-channel Modalità di miglioramento Potenza MOSFET D7N70 TO-252B D7N70 To-252B 700v 7a 英文版 d7n70 技术规格书 .pdf
 Modalità di miglioramento del canale N MOSFET 5A 650V 5N65C TO-220C 5n65c To-220c 650v 5a 英文版 5n65c 技术规格书 .pdf
Modalità di miglioramento del canale N MOSFET 10A 700V D10N70 TO-252B D10n70 To-252B 700v 10a 英文版 d10n70 技术规格书 rev1.0.pdf
8A 650 V Modalità di miglioramento N-Canale Potenza MOSFET F8N65 TO-220F F8n65 To-220f 650v 8a F8n65 技术规格书 .pdf
2A 650V N-Canale Modalità di miglioramento Mosfet B2N65 B2N65 To-251b 650v 2a 英文版 B2N65 技术规格书 .pdf
 Modalità di miglioramento del canale N MOSFET 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 To-251b 700v 7a 英文版 B7N70 技术规格书 .pdf
 Modalità di miglioramento del canale N MOSFET 4A 1500V DH4N150B TO-247 DH4N150B To-247 1500v 4a 英文版 dh4n150b 技术规格书 .pdf
16A 650V N-channel Super Junction Power Mosfet DHSJ21N65Z PDFN4 (8*8) Dhsj21n65z PDFN4 (8*8) 650v 16A DONGHAI DHSJ21N65Z Data foglio dati v1.0 (1) .pdf
2A 650 V Modalità di miglioramento N-Canale Potenza MOSFET D2N65 TO-252B D2N65 To-252B 650v 2a 英文版 D2N65 技术规格书 .pdf
10.6A 650V N-channel Super Junction Power Mosfet DJF380N65T TO-220F Djf380n65t To-220f 650v 10.6a Dispositivo DJF380N65T Specifica Rev.1.0.pdf
7.6A 650V N-channel Super Junction Power Mosfet DHFSJ8N65 TO-220F Dhfsj8n65 To-220f 650v 7.6a Dhfsj8n65_datesheet_v1.0.pdf
Transistor epitassiale Transistor di silicio NPN 13003G5 TO-126 13003G5
4A 650 V Modalità di miglioramento N-Canale Potenza MOSFET B4N65 TO-251 B4N65 To-251 650v 4a 英文版 B4N65X 技术规格书 x (1) .pdf
17A 650V N-channel Super Junction Power Mosfet DHSJ17N65 TO-220C Dhsj17n65 To-220c 650v 17A Dispositivo DHSJ17N65 Specifica.pdf
20A 650 V Modalità di miglioramento N-Canale Potenza MOSFET F20N65 TO-220F F20N65
 Modalità di miglioramento del canale N MOSFET 4A 700V D4N70 TO-252B D4N70 To-252B 700v 4a 英文版 d4n70 技术规格书 .pdf

Video del prodotto

  • Iscriviti alla nostra newsletter
  • Preparati per il futuro
    Iscriviti alla nostra newsletter per ottenere aggiornamenti direttamente alla tua casella di posta