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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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400V-1500V NMOS

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MOSFET di potenza DHD7N65 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 7 A 650 V DHD7N65 TO-252B 650 V 7A 英文版DHD7N65技术规格书REV1.1.pdf
 D7N60TO-252B D7N60 TO-252B 600 V 7A 英文版D7N60技术规格书.pdf
MOSFET di potenza SiC a canale N da 40 A 1200 V DCC075M120G2C TO-247-3 DCC075M120G2C TO-247 1200 V 40A Specifiche del dispositivo DCC075M120G2C.pdf
F6N90 TO-220F F6N90 TO-220F 900 V 6A 英文版F6N90技术规格书.pdf
MOSFET di potenza DHD015N06 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 60 A 60 V DHD015N06 TO-252B 60 V 60A Specifiche del dispositivo DHD015N06 (低开启电压50N06).pdf

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