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F6n90
Wxdh
F6n90
To-220f
900v
6a
6A 900V N-Canale Modalità di miglioramento Mosfet di potenza
1 Descrizione
Questi VDMOSFET migliorati a canale N, sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliorano le prestazioni di commutazione e migliorano l'energia delle valanghe. Che accorda con lo standard ROHS. TO-220F fornisce una tensione di isolamento classificata a 2000 V RM da tutti e tre i terminali a dissipatore di calore esterno. La serie TO-220F è conforme agli standard UL (FILE RIF: E252906).
2 caratteristiche
● commutazione rapida
● ESD Capacità migliorata
● Resistenza bassa (RDSON≤2,3Ω)
● Test di energia a valanga a impulsi singolo 100%
● Test al 100% ΔVDS
3 applicazioni
● Utilizzato in vari circuiti di commutazione di alimentazione per miniaturizzazione del sistema e maggiore efficienza.
● Circuito dell'interruttore di alimentazione di mazzastra e adattatore elettronico.
VDSS | RDS (ON) (Tip) | ID |
900v | 1,8Ω | 6a |
6A 900V N-Canale Modalità di miglioramento Mosfet di potenza
1 Descrizione
Questi VDMOSFET migliorati a canale N, sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliorano le prestazioni di commutazione e migliorano l'energia delle valanghe. Che accorda con lo standard ROHS. TO-220F fornisce una tensione di isolamento classificata a 2000 V RM da tutti e tre i terminali a dissipatore di calore esterno. La serie TO-220F è conforme agli standard UL (FILE RIF: E252906).
2 caratteristiche
● commutazione rapida
● ESD Capacità migliorata
● Resistenza bassa (RDSON≤2,3Ω)
● Test di energia a valanga a impulsi singolo 100%
● Test al 100% ΔVDS
3 applicazioni
● Utilizzato in vari circuiti di commutazione di alimentazione per miniaturizzazione del sistema e maggiore efficienza.
● Circuito dell'interruttore di alimentazione di mazzastra e adattatore elettronico.
VDSS | RDS (ON) (Tip) | ID |
900v | 1,8Ω | 6a |