Poartă
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sunteți aici: Acasă » Produse » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 6A 900V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F6N90 TO-220F

încărcare

Distribuie la:
butonul de partajare pe facebook
butonul de partajare pe Twitter
butonul de partajare a liniei
butonul de partajare wechat
butonul de partajare linkedin
butonul de partajare pe pinterest
butonul de partajare whatsapp
partajați acest buton de partajare

6A 900V N-canal de îmbunătățire mod MOSFET de putere F6N90 TO-220F

Aceste vdmosfeturi îmbunătățite cu canal N, sunt obținute prin tehnologia plană auto-aliniată, care reduce pierderea de conducție, îmbunătățește
performanța de comutare și sporește energia de avalanșă. Ceea ce este în conformitate cu standardul RoHS.
Disponibilitate:
Cantitate:

6A 900V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET


1 Descriere

Aceste vdmosfeturi îmbunătățite cu canal N, sunt obținute prin tehnologia plană auto-aliniată, care reduce pierderea de conducție, îmbunătățește performanța de comutare și sporește energia de avalanșă. Ceea ce este în conformitate cu standardul RoHS. TO-220F oferă o tensiune de izolație de 2000 V RMS de la toate cele trei terminale la radiatorul extern. Seria TO-220F respectă standardele UL (Fișier ref: E252906). 


2 Caracteristici 

● Comutare rapidă 

● Capacitate îmbunătățită ESD 

● Rezistență scăzută (Rdson≤2,3Ω) 

● Test de energie de avalanșă cu un singur impuls 100%. 

● Test ΔVDS 100%. 


3 Aplicații 

● Folosit în diferite circuite de comutare a puterii pentru miniaturizarea sistemului și eficiență mai mare. 

● Circuitul comutatorului de alimentare al balastului electronic și al adaptorului.


VDSS  RDS(activat)(TYP) ID 
900V 1,8Ω 6A



Anterior: 
Următorul: 
  • Înscrieți-vă pentru buletinul nostru informativ
  • pregătiți-vă pentru viitorul
    înscriere la buletinul nostru informativ pentru a primi actualizări direct în căsuța dvs. de e-mail