brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 6A 900V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F6N90 TO-220F

načítání

Sdílet s:
tlačítko sdílení na facebooku
tlačítko sdílení na twitteru
tlačítko sdílení linky
tlačítko sdílení wechat
tlačítko sdílení linkedin
tlačítko sdílení na pinterestu
tlačítko sdílení whatsapp
sdílet toto tlačítko sdílení

6A 900V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F6N90 TO-220F

Tyto N-kanálové vylepšené vdmosfety jsou získány samočinně zarovnanou planární technologií, která snižuje ztrátu vedení, zlepšuje spínací
výkon a zvyšuje energii laviny. Což odpovídá standardu RoHS.
Dostupnost:
Množství:

Výkonový MOSFET 6A 900V N-channel Enhancement Mode


1 Popis

Tyto N-kanálové vylepšené vdmosfety jsou získány samočinně zarovnanou planární technologií, která snižuje ztrátu vedení, zlepšuje spínací výkon a zvyšuje energii laviny. Což odpovídá standardu RoHS. TO-220F poskytuje izolační napětí dimenzované na 2000 V RMS ze všech tří svorek k externímu chladiči. Řada TO-220F vyhovuje standardům UL (ref. souboru: E252906). 


2 Vlastnosti 

● Rychlé přepínání 

● Vylepšená schopnost ESD 

● Nízký odpor (Rdson≤2,3Ω) 

● 100% jednopulzní lavinový energetický test 

● 100% test ΔVDS 


3 Aplikace 

● Používá se v různých spínacích obvodech pro miniaturizaci systému a vyšší účinnost. 

● Obvod vypínače elektronového předřadníku a adaptéru.


VDSS  RDS(zapnuto)(TYP) ID 
900V 1,8Ω 6A



Předchozí: 
Další: 
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky