未命名 (1) (8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » Mosfet » 400V-1500V N MOS » 6A 900V N-kanał NEGNES MOC MOSFET F6N90 TO-220F

załadunek

Udostępnij do:
Przycisk udostępniania na Facebooku
Przycisk udostępniania na Twitterze
Przycisk udostępniania linii
Przycisk udostępniania WeChat
Przycisk udostępniania LinkedIn
Przycisk udostępniania Pinterest
przycisk udostępniania WhatsApp
przycisk udostępniania shaRethis

6A 900 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET F6N90 TO-220F

Te ulepszone przez N-kanał VDMOSFET są uzyskiwane przez samozwańczą planarną technologię, która zmniejsza stratę przewodzenia, poprawiają
wydajność przełączania i poprawia energię lawinową. Co jest zgodne ze standardem Rohs.
Dostępność:
Ilość:
Pytać się Dodaj do kosza

6A 900 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET


1 Opis

Te ulepszone przez N-kanał VDMOSFET są uzyskiwane przez samozwańczą planarną technologię, która zmniejsza stratę przewodzenia, poprawiają wydajność przełączania i poprawia energię lawinową. Co jest zgodne ze standardem Rohs. TO-220F zapewnia napięcie izolacyjne oceniane przy 2000 V RMS ze wszystkich trzech zacisków do zewnętrznego ciepła. Seria TO-220F jest zgodna ze standardami UL (plik Ref: E252906). 


2 funkcje 

● Szybkie przełączanie 

● Ulepszona zdolność ESD 

● Niski rezystancji (RDSON ≤2,3Ω) 

● 100% testu energii lawinowej pojedynczej pulsu 

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikacje 

● Używany w różnych obwodach przełączania zasilania do miniaturyzacji systemu i wyższej wydajności. 

● Obwód przełącznika zasilania elektronowego balastu i adaptera.


VDSS  RDS (ON) （Typ) ID 
900 V. 1,8Ω 6a



Poprzedni: 
Następny: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej
    Składać
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com