hek
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
U bent hier: Thuis » Producten » MOSFET » 400V-1500V N-MOS » 6A 900V N-kanaal Enhancement Mode Power MOSFET F6N90 TO-220F

laden

Deel met:
knop voor delen op Facebook
Twitter-deelknop
knop voor lijn delen
knop voor het delen van wechat
linkedin deelknop
knop voor het delen van Pinterest
WhatsApp-knop voor delen
deel deze deelknop

6A 900V N-kanaalverbeteringsmodus Vermogens-MOSFET F6N90 TO-220F

Deze N-kanaal verbeterde vdmosfets worden verkregen door de zelfuitlijnende planaire technologie die het geleidingsverlies vermindert, de schakelprestaties verbetert
en de lawine-energie vergroot. Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm.
Beschikbaarheid:
Aantal:

6A 900V N-kanaalverbeteringsmodus Vermogens-MOSFET


1 Beschrijving

Deze N-kanaal verbeterde vdmosfets worden verkregen door de zelfuitlijnende planaire technologie die het geleidingsverlies vermindert, de schakelprestaties verbetert en de lawine-energie vergroot. Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm. TO-220F levert een isolatiespanning van 2000 V RMS van alle drie de aansluitingen naar het externe koellichaam. TO-220F-serie voldoet aan de UL-normen (dossierreferentie: E252906). 


2 Kenmerken 

● Snel schakelen 

● ESD verbeterde mogelijkheden 

● Lage weerstand (Rdson≤2.3Ω) 

● 100% lawine-energietest met enkele puls 

● 100% AVDS-test 


3 toepassingen 

● Gebruikt in verschillende stroomschakelcircuits voor systeemminiaturisatie en hogere efficiëntie. 

● Stroomschakelaarcircuit van elektronenballast en adapter.


VDSS  RDS(aan)(TYP) Identiteitskaart 
900V 1,8 Ω 6A



Vorig: 
Volgende: 
  • Schrijf u in voor onze nieuwsbrief
  • bereid u voor op de toekomst.
    Meld u aan voor onze nieuwsbrief om updates rechtstreeks in uw inbox te ontvangen