MOSFET di potenza SiC a canale N da 40 A 1200 V DCC075M120G2C TO-247-3

MOSFET di potenza SiC a canale N da 40 A 1200 V

1 Descrizione

Questa famiglia di prodotti offre prestazioni all'avanguardia. È progettato per applicazioni ad alta frequenza dove sono richieste alta efficienza e alta affidabilità. 

2 Caratteristiche 

● Maggiore efficienza del sistema 

● Requisiti di raffreddamento ridotti 

● Maggiore densità di potenza 

● Maggiore frequenza di commutazione del sistema 

3 applicazioni 

● Alimentatori. 

● Convertitori CC/CC ad alta tensione.

● Azionamenti a motore. 

● Alimentatori a commutazione

● Applicazioni di potenza pulsata

VDSS	RDS(acceso)（TIPO)	ID
1200 V	75 mΩ	41A