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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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40 A 1200 V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET DCC075M120G2C TO-247-3

Diese Produktfamilie bietet modernste Leistung. Es ist für Hochfrequenzanwendungen konzipiert, bei denen ein hoher Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit erforderlich sind.
Verfügbarkeit:
Menge:

40 A 1200 V N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung

Diese Produktfamilie bietet modernste Leistung. Es ist für Hochfrequenzanwendungen konzipiert, bei denen ein hoher Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit erforderlich sind. 


2 Funktionen 

● Höhere Systemeffizienz 

● Reduzierter Kühlbedarf 

● Erhöhte Leistungsdichte 

● Erhöhte Systemschalthäufigkeit 


3 Anwendungen 

● Netzteile. 

● Hochspannungs-DC/DC-Wandler.

● Motorantriebe. 

● Schaltnetzteile

● Anwendungen mit gepulster Leistung


VDSS  RDS(ein)(TYP) AUSWEIS 
1200V 75 mΩ 41A



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