MOSFET di alimentazione a canale N 60A 60V DHD015N06 TO-252B

MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 60 A 60 V

1 Descrizione

I vdmosfet potenziati a canale N utilizzavano un design avanzato della tecnologia trench, fornivano un eccellente Rdson e una bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS. 

2 Caratteristiche 

● Commutazione rapida 

● Bassa resistenza (Rdson≤15mΩ) 

● Bassa carica di gate (tipicamente: 45 nC) 

● Bassa capacità di trasferimento inverso (tipicamente: 135 pF) 

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%. 

● Test ΔVDS al 100%.

3 applicazioni 

● Applicazioni di commutazione di potenza 

● Convertitori CC-CC 

● Alimentazione dell'UPS 

● Interruttore di carico 

● Rettifica sincrona

VDS	RDS(acceso) (TIPO)	ID (limite del pacchetto)
60 V	10,5 mΩ	60A