N-Kanal-Leistung 60 A 60 V MOSFET DHD015N06 TO-252B

60 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung

Die N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten 

● Niedriger Einschaltwiderstand (Rdson≤15mΩ) 

● Geringe Gate-Ladung (Typ: 45 nC) 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten (Typ: 135 pF) 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test

3 Anwendungen 

● Leistungsschaltanwendungen 

● DC-DC-Wandler 

● USV-Stromversorgung 

● Lastschalter 

● Synchrongleichrichtung

VDS	RDS(ein) (TYP)	ID (Paketlimit)
60V	10,5 mΩ	60A