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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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N-Kanal Power 60A 60V MOSFET DHD015N06 bis 252B

Das N-Channel-Verbesserte VDMOSFETs verwendete fortschrittliches Gräbertechnologiedesign und bot eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
Verfügbarkeit:
Menge:

60A 60V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung

Das N-Channel-Verbesserte VDMOSFETs verwendete fortschrittliches Gräbertechnologiedesign und bot eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● schnelles Umschalten 

● Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 15 mΩ) 

● Ladung mit niedriger Gate (Typ: 45 nc) 

● Niedrige Rückwärtsübertragungskapazität (Typ: 135PF) 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test


3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen 

● DC-DC-Konvertoren 

● UPS -Stromversorgung 

● Lastschalter 

● Synchrone Rentifikation

VDS RDS (ON) (Typ) ID (Paketlimit) 
60 V 10,5 mΩ 60a



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