N-Kanal Power 60A 60V MOSFET DHD015N06 bis 252B

60A 60V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung

Das N-Channel-Verbesserte VDMOSFETs verwendete fortschrittliches Gräbertechnologiedesign und bot eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale 

● schnelles Umschalten 

● Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 15 mΩ) 

● Ladung mit niedriger Gate (Typ: 45 nc) 

● Niedrige Rückwärtsübertragungskapazität (Typ: 135PF) 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test

3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen 

● DC-DC-Konvertoren 

● UPS -Stromversorgung 

● Lastschalter 

● Synchrone Rentifikation

VDS	RDS (ON) (Typ)	ID （Paketlimit）
60 V	10,5 mΩ	60a