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DHD015N06
Wxdh
DHD015N06
To-252b
60 V
60a
60A 60V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET
1 Beschreibung
Das N-Channel-Verbesserte VDMOSFETs verwendete fortschrittliches Gräbertechnologiedesign und bot eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
2 Merkmale
● schnelles Umschalten
● Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 15 mΩ)
● Ladung mit niedriger Gate (Typ: 45 nc)
● Niedrige Rückwärtsübertragungskapazität (Typ: 135PF)
● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest
● 100% ΔVDS -Test
3 Anwendungen
● Stromschaltanwendungen
● DC-DC-Konvertoren
● UPS -Stromversorgung
● Lastschalter
● Synchrone Rentifikation
VDS | RDS (ON) (Typ) | ID (Paketlimit) |
60 V | 10,5 mΩ | 60a |
60A 60V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET
1 Beschreibung
Das N-Channel-Verbesserte VDMOSFETs verwendete fortschrittliches Gräbertechnologiedesign und bot eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
2 Merkmale
● schnelles Umschalten
● Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 15 mΩ)
● Ladung mit niedriger Gate (Typ: 45 nc)
● Niedrige Rückwärtsübertragungskapazität (Typ: 135PF)
● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest
● 100% ΔVDS -Test
3 Anwendungen
● Stromschaltanwendungen
● DC-DC-Konvertoren
● UPS -Stromversorgung
● Lastschalter
● Synchrone Rentifikation
VDS | RDS (ON) (Typ) | ID (Paketlimit) |
60 V | 10,5 mΩ | 60a |