N-kanal Gücü 60A 60V MOSFET DHD015N06 TO-252B

60A 60V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama

N-kanallı geliştirilmiş vdmosfet'ler, gelişmiş hendek teknolojisi tasarımını kullandı ve mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağladı. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

● Hızlı geçiş 

● Düşük direnç (Rdson≤15mΩ) 

● Düşük geçit şarjı (Tip: 45nC) 

● Düşük ters aktarım kapasitansları (Tip: 135pF) 

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi

3 Uygulama 

● Güç anahtarlama uygulamaları 

● DC-DC dönüştürücüler 

● UPS güç kaynağı 

● Yük anahtarı 

● Senkron düzeltme

VDS'ler	RDS(açık) (TİP)	Kimlik (paket sınırı)
60V	10,5 mΩ	60A