60A 60V N-kanali täiustusrežiimi võimsus MOSFET
1 Kirjeldus
N-kanaliga täiustatud vdmosfetid kasutasid täiustatud kaevikutehnoloogiat, pakkusid suurepärast Rdsoni ja madalat väravalaengut. Mis vastab RoHS standardile.
2 Omadused
● Kiire ümberlülitamine
● Madal takistus (Rdson≤15mΩ)
● Värava madal laetus (tüüp: 45 nC)
● Madal pöördülekande mahtuvus (tüüp: 135 pF)
● 100% ühe impulsi laviini energia test
● 100% ΔVDS test
3 Rakendused
● Toitelülitusrakendused
● DC-DC muundurid
● UPS-i toiteallikas
● Laadimislüliti
● Sünkroonne alaldamine
| VDS |
RDS (sees) (TYP) |
ID (paki limiit) |
| 60V |
10,5 mΩ |
60A |