60A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Περιγραφή
Τα βελτιωμένα vdmosfet με κανάλια N χρησιμοποιούσαν προηγμένο σχεδιασμό τεχνολογίας τάφρων, παρείχαν εξαιρετικό Rdson και χαμηλή φόρτιση πύλης. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS.
2 Χαρακτηριστικά
● Γρήγορη εναλλαγή
● Χαμηλή αντίσταση (Rdson≤15mΩ)
● Χαμηλή φόρτιση πύλης (Τύπος: 45nC)
● Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς (Τύπος: 135pF)
● Δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας 100% ενός παλμού
● Δοκιμή ΔVDS 100%.
3 Εφαρμογές
● Εφαρμογές μεταγωγής ισχύος
● Μετατροπείς DC-DC
● Τροφοδοτικό UPS
● Διακόπτης φόρτωσης
● Σύγχρονη διόρθωση
| VDS |
RDS(ενεργό) (TYP) |
ID (όριο πακέτου) |
| 60V |
10,5 mΩ |
60Α |