MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 60 A 60 V
1 Descriptif
Les vdmosfets améliorés à canal N utilisaient une conception de technologie de tranchée avancée, fournissaient un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.
2 Caractéristiques
● Commutation rapide
● Faible résistance (Rdson≤15mΩ)
● Faible charge de grille (type : 45 nC)
● Faibles capacités de transfert inverse (type : 135 pF)
● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %
● Test 100 % ΔVDS
3 candidatures
● Applications de commutation de puissance
● Convertisseurs DC-DC
● Alimentation UPS
● Interrupteur de charge
● Rectification synchrone
| VDS |
RDS (activé) (TYP) |
ID (limite de paquet) |
| 60V |
10,5 mΩ |
60A |