未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sa oled siin: Kodu » Tooted » mosfet



Mudel:
Pakett:
V:
V:
Valitud tooteliinid:

Mosfet

Pildimudeli ​ pakett v Andmelehe üksikasjade päring lisage korvi
4A 1500V N-kanali parendamise režiimi võimsus MOSFET DH4N150F TO-3PF DH4N150F TO-3PF 1500 V 4a 英文版 DH4N150F 技术规格书 .pdf
7A 650 V N-kanali tugevdamisrežiim MOSFET 7N65 TO-220C 7n65 TO-220C 650 V 7a 英文版 7n65 技术规格书 .pdf
15A 650 V N-kanali tugevdamisrežiim MOSFET 15N65 TO-220C 15n65 TO-220C 650 V 15a
4,5A 650 V N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET F5N65C TO-220F F5N65C TO-220F 650 V 4.5a 英文版 F5N65C 技术规格书 Rev1.1.pdf
50A 30V N-kanali parendamisrežiimi võimsus MOSFET DHD50N03 TO-252B DHD50N03 TO-252B 30 V 50A DHB50N03 & DHD50N03_DATASHEET_V1.0.pdf
90A 40V N-kanali parendamisrežiimi võimsus MOSFET DH045N04 TO-220C DH045N04 TO-220C 40 V 90A Seade DH045N04 spetsifikatsioon.pdf
120A 40V N-kanali parendamisrežiimi võimsus MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 TO-220C 40 V 120A Seade DH033N04 spetsifikatsioon.pdf
180A 40V N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 TO-220C 40 V 180A Donghai+DHS021N04 & DHS021N04E+andmeleht+v3.0.pdf
80A 40V N-kanaliga tugevdusrežiimi võimsus MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40 V 80A Seade DH065N04 spetsifikatsioon.pdf
60A 40V N-kanali tugevdusrežiim MOSFET DH065N04P DFN5X6 DH065N04P Dfn5x6 40 V 60A Seade DH065N04P spetsifikatsioon.pdf
N-kanali tugevdusrežiimi võimsus MOSFET 180A 40V DHS020NN04 TO-220C DHS020N04 TO-220C 40 V 180A Seade DHS020N04 spetsifikatsioon.pdf
250A 40V N-kanali parendamise režiim Power MOSFET DH019N04 TO-220C DH019N04 TO-220C 40 V 250A Seade DH019N04 spetsifikatsioon.pdf
238A 60 V N-kanali tugevdamisrežiimi võimsus MOSFET DH026N06 TO-220C DH026N06 TO-220C 60 V 238a Seade DH026N06 spetsifikatsioon.pdf
120A 60 V N-THANNELI VÄLISMOODE MOSFET DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 TO-220C 60 V 120A Seade+DH065N06+SPEPICATION+REV.2.0.pdf
110A 60 V N-kanali parendamise režiim Power MOSFET DH066N06E TO-263 DH066N06E TO-263 60 V 110A Seade+DH066N06+SPECIFICATION+REV.2.0.pdf
33A 60 V N-kanali tugevdamisrežiim MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60 V 33a Seade DH240N06L spetsifikatsioon Rev.2.0.pdf
240A 60 V N-kanali parendamise režiim Power MOSFET DHS022N06 TO-220C DHS022N06 TO-220C 60 V 180A Donghai+DHS022N06 & DHS022N06E+andmeleht+v2.0.pdf
180A 60 V N-kanali parendamisrežiimi võimsus MOSFET DHS025N06E TO-263 DHS025N06E TO-263 60 V 180A  DHS025N06 & DHS025N06E_DATASHEET_V2.0.pdf
116a 68V N-kanali tugevdamise režiim Power MOSFET DH070N06 TO-220C 60 V 88a Seade DH070N06 spetsifikatsioon (2) .pdf
80A 60 V N-kanali täiustusrežiim Power MOSFET DATD063N06N TO-252B DATD063N06N TO-252B 60 V 80A Seade+DATD063N06N+SPECIFICATION Rev.1.0.pdf

Tootevideo



  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Registreeruge meie infolehte
  • Olge tulevikuks valmis
    meie infolehte, et saada värskendusi otse oma postkasti
    Alluma
Autoriõigus © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia Leadong.com