40 V/5,5 mΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252

40V/5,5mΩ/82A N-MOSFET

1 Kirjeldus 

See N-kanali täiustusrežiimi võimsus MOSFET kasutab täiustatud Split Gate Trench tehnoloogiat, mis tagab samaaegselt suurepärase Rdsoni ja madala värava laengu. Mis vastab RoHS standardile. 

2 Omadused 

• AEC-Q101 kvalifitseeritud

● Madal takistus 

● Madal pöördülekande mahtuvus

● 100% ühe impulsi laviini energia test 

● 100% ΔVDS test

● Pb-vaba plaadistus / halogeenivaba / RoHS-iga ühilduv

3 Rakendused 

• Mootori juhtimine ja ajam 

• Akuhaldussüsteemi laadimine/tühjenemine 

• SMPS-i sünkroonalaldi

• Autotööstuse rakendus

VDSS	RDS (sees) (TYP)	ID
40V	5,5 mΩ	82A