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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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40V/5,5mΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Split-Gate-Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
Verfügbarkeit:
Menge:

40 V/5,5 mΩ/82 A N-MOSFET


1 Beschreibung 

Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Anreicherungsmodus nutzt die fortschrittliche Split-Gate-Trench-Technologie, die gleichzeitig einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung bietet. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

• AEC-Q101-qualifiziert

● Geringer Widerstand 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test

● Pb-freie Beschichtung / Halogenfrei / RoHS-konform


3 Anwendungen 

• Motorsteuerung und Antrieb 

• Laden/Entladen für Batteriemanagementsystem 

• Synchrongleichrichter für SMPS

• Automobilanwendung


VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
40V 5,5 mΩ 82A


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