40V/5,5mΩ/82A N-MOSFET
1 Açıklama
Bu N-kanal geliştirme modu gücü MOSFET, aynı anda mükemmel Rdson ve düşük Geçit şarjı sağlayan gelişmiş Split Gate Trench teknolojisini kullanır. RoHS standardına uygundur.
2 Özellikler
• AEC-Q101 onaylı
● Düşük direnç
● Düşük ters transfer kapasitansları
● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi
● %100 ΔVDS testi
● Kurşunsuz kaplama / Halojensiz / RoHS uyumlu
3 Uygulama
• Motor Kontrolü ve Sürücü
• Pil Yönetim Sistemi için Şarj/Deşarj
• SMPS için Senkron Doğrultucu
• Otomotiv Uygulaması
| VDSS |
RDS(açık)(TİP) |
İD |
| 40V |
5,5 mΩ |
82A |