40V/5.5mΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252

40V/5.5mΩ/82A N-MOSFET

1 ຄຳອະທິບາຍ 

MOSFET ຮູບແບບການເພີ່ມປະສິດທິພາບ N-channel ນີ້ໃຊ້ເທກໂນໂລຍີ Split Gate Trench ຂັ້ນສູງ, ເຊິ່ງສະຫນອງ Rdson ທີ່ດີເລີດແລະຄ່າ Gate ຕ່ໍາໃນເວລາດຽວກັນ. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS. 

2 ຄຸນສົມບັດ 

• AEC-Q101 ມີຄຸນສົມບັດ

● ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າ 

● ຄວາມອາດສາມາດໃນການໂອນເງິນປີ້ນກັບກັນຕໍ່າ

● 100% ການທົດສອບພະລັງງານ avalanche ກໍາມະຈອນດຽວ 

● 100% ΔVDS ການທົດສອບ

● Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS ປະຕິບັດຕາມ

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ 

• ຄວບຄຸມມໍເຕີ ແລະຂັບ 

• ການສາກໄຟ/ການປົດສາກສຳລັບລະບົບການຈັດການແບັດເຕີຣີ 

• Synchronous Rectifier ສໍາລັບ SMPS

• ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກລົດຍົນ

VDSS	RDS(ເປີດ)(TYP)	ID
40V	5.5mΩ	82 ກ