portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET » 12V-300V N MOS » 40V/5.5mΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252

lastaus

Jaa:
Facebookin jakamispainike
Twitterin jakamispainike
linjan jakamispainike
wechatin jakamispainike
linkedinin jakamispainike
pinterestin jakamispainike
whatsapp jakamispainike
jaa tämä jakamispainike

40V/5,5mΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252

Nämä N-kanavan tehostustilan tehomosfetit käyttivät edistynyttä splitte gate -kaivannon tekniikkaa, tarjoten erinomaisen Rdson-latauksen ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen.
Saatavuus:
Määrä:

40V/5,5mΩ/82A N-MOSFET


1 Kuvaus 

Tämä N-kanavainen tehostustilateho MOSFET hyödyntää edistynyttä Split Gate Trench -tekniikkaa, joka tarjoaa erinomaisen Rdson-latauksen ja alhaisen Gate-latauksen samanaikaisesti. Joka on RoHS-standardin mukainen. 


2 Ominaisuudet 

• AEC-Q101-hyväksytty

● Alhainen vastus 

● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti 

● 100 % ΔVDS-testi

● Pb-vapaa pinnoitus / halogeeniton / RoHS-yhteensopiva


3 Sovellukset 

• Moottorin ohjaus ja käyttö 

• Akunhallintajärjestelmän lataus/purkaus 

• Synkroninen tasasuuntaaja SMPS:lle

• Autoteollisuussovellus


VDSS RDS(päällä)(TYP) ID
40V 5,5 mΩ 82A


Edellinen: 
Seuraavaksi: 
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi