5A 650 V Modalità di miglioramento N-Canale Potenza MOSFET B5N65 TO-251B

5A 650V N-Canale Modalità di miglioramento Mosfet di potenza

1 Descrizione

Questi VDMOSFET migliorati a canale N, sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliorano le prestazioni di commutazione e migliorano l'energia delle valanghe. Che accorda con lo standard ROHS.

2 caratteristiche

● commutazione rapida 

● ESD Capacità migliorata 

● Resistenza bassa (RDSON≤2,4Ω) 

● CAGGIO DI GATE basso (tip: 17.3nc) 

● Capacità di trasferimento inverse basse (tip: 6.88pf) 

● Test di energia a valanga a impulsi singolo 100%

● Test al 100% ΔVDS 

3 applicazioni

● Utilizzato in vari circuiti di commutazione di alimentazione per miniaturizzazione del sistema e maggiore efficienza.

● Circuito dell'interruttore di alimentazione di mazzastra e adattatore elettronico.