5A 650V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET B5N65 TO-251B

5A 650V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 deskripsi

N-channel yang ditingkatkan VDMOSFET ini, diperoleh oleh teknologi planar self-endak yang mengurangi kehilangan konduksi, meningkatkan kinerja switching dan meningkatkan energi longsoran salju. Yang sesuai dengan standar ROHS.

2 fitur

● Pergantian cepat 

● Kemampuan ESD Peningkatan 

● Rendah pada resistansi (rdson≤2.4Ω) 

● Biaya gerbang rendah (TYP: 17.3NC) 

● Kapasitansi transfer terbalik rendah (TYP: 6.88PF) 

● Tes energi longsor pulsa tunggal 100%

● Tes 100% ΔVDS 

3 aplikasi

● Digunakan di berbagai sirkuit switching daya untuk miniaturisasi sistem dan efisiensi yang lebih tinggi.

● Sirkuit sakelar daya dari ballast dan adaptor elektron.