5A 650V N-canale Enhancement Modus Power MOSFET B5N65 TO-251B

5A 650V N-canale Enhancement Modus Power MOSFET

1 Description

Haec N-canali vdmosfets aucta, a technologia planaria auto-aligna facta, quae conductionem damnum minuunt, emendae commutationes perficiendi et NIVIS energiae augendae. Quod congruit cum RoHS vexillum.

2 Features

Fast commutatione 

ESD melius facultatem 

● Minimum resistente (Rdson≤2.4Ω) 

● Praefectum portae Minimum (Typ: 17.3nC) 

Minimum contra facultates translationis (Typ: 6.88pF) 

C% una pulsus NIVIS industria test

C% VDS test 

III Applications

● In variis potentiae mutandi circuitionibus ad systema miniaturizationis et efficientiae altioris adhibitum.

● Potestas transiens ambitum electronico adprehensis et adaptor.

VDSS	RDS(on)（TYP)	ID
650V	1.9Ω	5A