5A 650 V Tryb wzmacniający N MOSFET MOSFET B5N65 TO-251B

5A 650 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET

1 Opis

Te ulepszone przez N-kanał VDMOSFET są uzyskiwane przez samozwańczą planarną technologię, która zmniejsza stratę przewodzenia, poprawiają wydajność przełączania i poprawia energię lawinową. Co jest zgodne ze standardem Rohs.

2 funkcje

● Szybkie przełączanie 

● Ulepszona zdolność ESD 

● Niski rezystancji (RDSON ≤2,4Ω) 

● Niski ładunek bramki (typ: 17,3nc) 

● Niskie pojemności odwrotnego transferu (Typ: 6,88pf) 

● 100% testu energii lawinowej pojedynczej pulsu

● Test 100% ΔVDS 

3 aplikacje

● Używany w różnych obwodach przełączania zasilania do miniaturyzacji systemu i wyższej wydajności.

● Obwód przełącznika zasilania elektronowego balastu i adaptera.