5A 650V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET B5N65 TO-251B

5A 650V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Penerangan

Ini saluran N-saluran yang dipertingkatkan, diperolehi oleh teknologi planar self-selaras yang mengurangkan kehilangan konduksi, meningkatkan prestasi beralih dan meningkatkan tenaga longsor. Yang sesuai dengan standard ROHS.

2 ciri

● Pertukaran cepat 

● Keupayaan ESD yang lebih baik 

● Rendah pada rintangan (RDSON ≤2.4Ω) 

● Caj Gate Rendah (typ: 17.3nc) 

● Kapasiti pemindahan terbalik rendah (typ: 6.88pf) 

● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100%

● Ujian 100% Δvds 

3 aplikasi

● Digunakan dalam pelbagai litar pensuisan kuasa untuk pengurangan sistem dan kecekapan yang lebih tinggi.

● Litar suis kuasa balast elektron dan penyesuai.