7A 700v N-channel Modalità di miglioramento Potenza MOSFET D7N70 TO-252B

7A 700v N-channel Modalità di miglioramento Mosfet di potenza

1 Descrizione

Questi VDMOSFET migliorati a canale N, sono ottenuti dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliorano le prestazioni di commutazione e migliorano l'energia delle valanghe. Che accorda con lo standard ROHS. 

2 caratteristiche

● commutazione rapida

● ESD Capacità migliorata 

● Resistenza bassa (RDSON≤1,75Ω)

● CAGGIO DI GATE basso (tip: 26nc)

● Capacità di trasferimento inverse basse (tip: 4.5pf) 

● Test di energia a valanga a impulsi singolo 100%

● Test al 100% ΔVDS

3 applicazioni

● Utilizzato in vari circuiti di commutazione di alimentazione per miniaturizzazione del sistema e maggiore efficienza. 

● Circuito dell'interruttore di alimentazione di mazzastra e adattatore elettronico.