Elérhetőség: | |
---|---|
Mennyiség: | |
D7N70
WXDH
TO-252B
700V
7A
7A 700V N-csatornás továbbfejlesztett mód Táp MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett vdmosfeteket az önbeálló síktechnológia biztosítja, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és növeli a lavina energiáját. Ami megfelel a RoHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Továbbfejlesztett ESD képesség
● Alacsony ellenállás (Rdson≤1,75Ω)
● Alacsony kaputöltés (Típus: 26nC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitás (Típus: 4,5 pF)
● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 Alkalmazások
● Különféle teljesítménykapcsoló áramkörökben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyság érdekében.
● Elektron ballaszt és adapter tápkapcsoló áramköre.
VDSS | RDS (bekapcsolva) (TYP) | ID |
700V | 1,35Ω | 7A |
7A 700V N-csatornás továbbfejlesztett mód Táp MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett vdmosfeteket az önbeálló síktechnológia biztosítja, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és növeli a lavina energiáját. Ami megfelel a RoHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Továbbfejlesztett ESD képesség
● Alacsony ellenállás (Rdson≤1,75Ω)
● Alacsony kaputöltés (Típus: 26nC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitás (Típus: 4,5 pF)
● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 Alkalmazások
● Különféle teljesítménykapcsoló áramkörökben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyság érdekében.
● Elektron ballaszt és adapter tápkapcsoló áramköre.
VDSS | RDS (bekapcsolva) (TYP) | ID |
700V | 1,35Ω | 7A |