brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Výrobky » Mosfet » 400V-1500V N MOS » 7a 700V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET D7N70 až 252b

zaťaženie

Zdieľať na:
Tlačidlo zdieľania Facebooku
Tlačidlo zdieľania Twitteru
tlačidlo zdieľania riadkov
Tlačidlo zdieľania WeChat
tlačidlo zdieľania linkedIn
Tlačidlo zdieľania Pinterest
Tlačidlo zdieľania WhatsApp
Tlačidlo zdieľania zdieľania zdieľania

7A 700V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET D7N70 až 252b

7A 700 V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET
Dostupnosť:
Množstvo:

7A 700 V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET


1 popis

Tieto N-kanálové vylepšené VDMOSFETS sa získava pomocou rovnovážnej technológie, ktorá znižuje stratu vodivosti, zlepšuje výkon prepínania a zvyšuje energiu lavíny. Čo je v súlade so štandardom ROHS. 


2 funkcie

● Rýchle prepínanie

● Vylepšená schopnosť ESD 

● Nízky odpor (rdson <1,75Ω)

● Nízka brána (Typ: 26NC)

● Nízke kapacity prenosu reverzného prenosu (typ: 4,5pf) 

● 100% Energia Energy Energy Energy Test

● Test 100% ΔVDS


3 aplikácie

● Používa sa v rôznych obvodoch prepínania energie na miniaturizáciu systému a vyššiu účinnosť. 

● Obvod napájacieho spínača elektrónového predradníka a adaptéra.



VDSS  RDS (ON) (TYP) Id 
700 V 1,35Ω 7a



Predchádzajúce: 
Ďalej: 
  • Prihláste sa do nášho bulletinu
  • Pripravte sa na budúcnosť
    Prihláste sa do nášho bulletinu, aby ste získali aktualizácie priamo do svojej doručenej pošty