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400V-1500V NMOS

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MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 9 A 900 V 9N90 TO-3PN 9N90 TO-3PN 900 V 9A 英文版9N90 3PN技术规格书.pdf
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Transistor epitassiale al silicio NPN 13003G5 TO-126 13003G5
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MOSFET di potenza F10N50 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 10 A 500 V F10N50 TO-220F 500 V 10A 英文版F10N50技术规格书(1).pdf
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