cancello
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ti trovi qui: Casa » Prodotti » MOSFET » 400V-1500V N MOS
Modello:
Pacchetto:
V:
UN:
LINEE DI PRODOTTO SELEZIONATE:

400V-1500V NMOS

Immagine Modello Pacchetto V A Scheda tecnica Dettagli Richiesta Aggiungi al carrello
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 9 A 900 V 9N90 TO-3PN 9N90 TO-3PN 900 V 9A 英文版9N90 3PN技术规格书.pdf
MOSFET di potenza 740 TO-220C in modalità potenziata a canale N da 10 A 400 V 740 TO-220C 400 V 10A Specifiche del dispositivo 740.pdf
Transistor epitassiale al silicio NPN 13003G5 TO-126 13003G5
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 4 A 650 V B4N65 TO-251 B4N65 TO-251 650 V 4A 英文版B4N65X技术规格书X(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 8 A 600 V 8N60 TO-220C 8N60 TO-220C 600 V 8A 英文版8N60技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 20 A 650 V 20N65D TO-3P 20N65D TO-3PN 650 V 20A 英文版20N65D技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET di potenza D9N65 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 9 A 650 V D9N65 TO-252B 650 V 9A 英文版D9N65技术规格书(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 8 A 500 V 8N50 TO-220C 8N50 TO-220C 500 V 8A 英文版8N50技术规格书.pdf
MOSFET di potenza F10N50 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 10 A 500 V F10N50 TO-220F 500 V 10A 英文版F10N50技术规格书(1).pdf
 MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 4A 1500V DH4N150B TO-247 DH4N150B TO-247 1500 V 4A 英文版DH4N150B技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 7 A 650 V 7N65 TO-220C 7N65 TO-220C 650 V 7A 英文版7N65技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 15 A 650 V 15N65 TO-220C 15N65 TO-220C 650 V 15A
MOSFET di potenza F7N70 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 7 A 700 V F7N70 TO-220F 700 V 7A 英文版F7N70技术规格书.pdf
MOSFET di potenza F10N60 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 10 A 600 V F10N60 TO-220F 600 V 10A 英文版F10N60技术规格书.pdf
MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N 17A 650V DHSJ17N65 TO-220C DHSJ17N65 TO-220C 650 V 17A Specifiche del dispositivo DHSJ17N65.pdf
MOSFET di potenza F10N70 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 10 A 700 V F10N70 TO-220F 700 V 10A 英文版F10N70技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET di potenza F12N60 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 12 A 600 V F12N60 TO-220F 600 V 12A 英文版F12N60技术规格书REV1.0(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 4 A 1500 V DH4N150F TO-3PF DH4N150F TO-3PF 1500 V 4A 英文版DH4N150F技术规格书.pdf
 Modalità di miglioramento a canale N MOSFET di potenza 10A 600V 10N60 10N60
 MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 4A 800V B4N80 TO-251B B4N80 TO-251B 800 V 4A 英文版B4N80技术规格书.pdf

Video del prodotto

  • Iscriviti alla nostra newsletter
  • preparati per il futuro
    iscriviti alla nostra newsletter per ricevere gli aggiornamenti direttamente nella tua casella di posta