MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N 17A 650V DHSJ17N65 TO-220C

MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 17 A 650 V

1 Descrizione 

Questi vdmosfet potenziati a canale N utilizzano una tecnologia e un design avanzati di super giunzione per fornire un eccellente Rds(on) con una bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS.

2 Caratteristiche

● Commutazione rapida 

● Bassa resistenza (Rdson ≤ 210 mΩ) 

● Carica gate bassa (tip.: 40nC) 

● Bassa capacità di trasferimento inverso (tipicamente: 3,4 pF) 

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%. 

● Test ΔVDS al 100%.

3 applicazioni 

● Correzione del fattore di potenza (PFC). 

● Alimentatori a commutazione (SMPS).

● Gruppo di continuità (UPS).

● Alimentazione TV e alimentazione illuminazione LED

● Convertitori CA-CC

● Telecomunicazioni, Solare

VDSS	RDS(acceso)(TIPO)	ID
650 V	185 mΩ	17A