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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET de puissance à super jonction canal N 17A 650V DHSJ17N65 TO-220C

MOSFET de puissance à super jonction canal N 17 A, 650 V
Disponibilité :
Quantité :

MOSFET de puissance à super jonction canal N 17 A 650 V


1 Descriptif 

Ces vdmosfets améliorés à canal N utilisent une technologie et une conception avancées de super jonction pour fournir un excellent Rds (on) avec une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS.


2 Caractéristiques

● Commutation rapide 

● Faible résistance (Rdson≤ 210 mΩ) 

● Faible charge de grille (type : 40 nC) 

● Faibles capacités de transfert inverse (type : 3,4 pF) 

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 % 

● Test 100 % ΔVDS


3 candidatures 

● Correction du facteur de puissance (PFC). 

● Alimentations à découpage (SMPS).

● Alimentation sans interruption (UPS).

● Alimentation du téléviseur et alimentation de l'éclairage LED

● Convertisseurs AC vers DC

● Télécom, Solaire


VDSS RDS (activé) (TYP) IDENTIFIANT
650V 185 mΩ 17A


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