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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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17A 650V N-Kanal Super Junction Power MOSFET DHSJ17N65 TO-220C

17A 650V N-Kanal Super Junction Power MOSFET
Verfügbarkeit:
Menge:

17A 650V N-Kanal Super Junction Power MOSFET


1 Beschreibung 

Diese N-Kanal-Verbesserung von VDMOSFETs verwenden fortschrittliche Super-Junction-Technologie und -Design, um eine hervorragende RDS (ON) mit niedriger Gate-Ladung bereitzustellen. Das entspricht dem ROHS -Standard.


2 Merkmale

● schnelles Umschalten 

● Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 210 mΩ) 

● Ladung mit niedriger Gate (Typ: 40 nc) 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität (Typ: 3.4PF) 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test


3 Anwendungen 

● Leistungsfaktorkorrektur (PFC). 

● STWANTEDED MODE NETZUNGEN (SMPS).

● Unterbrechungsfreies Stromversorgung (UPS).

● TV -Power & LED -Beleuchtungskraft

● Wechselstrom zu DC -Konvertern

● Telekommunikation, Solar


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
650 V 185m Ω 17a


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