17 A 650 V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET DHSJ17N65 TO-220C

17 A 650 V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung 

Diese N-Kanal-verstärkten VDMAsfets nutzen fortschrittliche Super-Junction-Technologie und -Design, um hervorragende Rds(on) bei niedriger Gate-Ladung zu bieten. Was dem RoHS-Standard entspricht.

2 Funktionen

● Schnelles Umschalten 

● Niedriger Einschaltwiderstand (Rdson≤ 210 mΩ) 

● Geringe Gate-Ladung (Typ: 40 nC) 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten (Typ: 3,4 pF) 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test

3 Anwendungen 

● Leistungsfaktorkorrektur (PFC). 

● Schaltnetzteile (SMPS).

● Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV).

● TV-Stromversorgung und LED-Beleuchtungsleistung

● AC-DC-Wandler

● Telekommunikation, Solar

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
650V	185 mΩ	17A