MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 17A 650V DHSJ17N65 TO-220C

MOSFET de potencia de súper unión de canal N de 17A y 650 V

1 Descripción 

Estos vdmosfets mejorados de canal N utilizan tecnología y diseño avanzados de súper unión para proporcionar Rds(on) excelentes con carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS.

2 características

● Cambio rápido 

● Baja resistencia (Rdson≤ 210mΩ) 

● Carga de puerta baja (tipo: 40 nC) 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa (tipo: 3,4 pF) 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS

3 aplicaciones 

● Corrección del factor de potencia (PFC). 

● Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).

● Sistema de alimentación ininterrumpida (UPS).

● Alimentación de TV y alimentación de iluminación LED

● Convertidores de CA a CC

● Telecomunicaciones, energía solar

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
650V	185mΩ	17A