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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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400V-1500V N MOS

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Epitaktischer Siliziumtransistor NPN 13003G5 TO-126 13003G5
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10A 500V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F10N50 TO-220F F10N50 TO-220F 500V 10A 英文版F10N50术规格书(1).pdf
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7A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 7N65 TO-220C 7N65 TO-220C 650V 7A 英文版7N65技术规格书.pdf
15A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 15N65 TO-220C 15N65 TO-220C 650V 15A
7A 700V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F7N70 TO-220F F7N70 TO-220F 700V 7A 英文版F7N70技术规格书.pdf
10 A 600 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F10N60 TO-220F F10N60 TO-220F 600V 10A 英文版F10N60技术规格书.pdf
17 A 650 V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET DHSJ17N65 TO-220C DHSJ17N65 TO-220C 650V 17A Gerätespezifikation DHSJ17N65.pdf
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4A 1500V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH4N150F TO-3PF DH4N150F TO-3PF 1500V 4A Detaillierte Informationen zu DH4N150F.pdf
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