N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 4A 1500V DH4N150B TO-247

N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 4A 1500V

1 Beschreibung

DH4N150, die Silizium-N-Kanal-Enhanced-VDMOSFETs, werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie hergestellt, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht. Der Transistor kann in verschiedenen Leistungsschaltkreisen zur Systemminiaturisierung und höheren Effizienz verwendet werden. Die Verpackungsform ist TO-3PF, was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

 Schnelles Umschalten 

 Niedriger EIN-Widerstand (Rdson ≤ 6,5 Ω) 

 Niedrige Gate-Ladung (typische Daten: 38 nC)

 Niedrige Rückübertragungskapazitäten (typisch: 2,9 pF) 

 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

3 Anwendungen 

 Netzschalter-Stromkreis von Adapter und Ladegerät.

VDSS	RDS(ein)（TYP)	AUSWEIS
1500V	4,9 Ω	4,0A