N-kanaalverbeteringsmodus Power MOSFET 4A 1500V DH4N150B TO-247

N-kanaalverbeteringsmodus Power MOSFET 4A 1500V

1 Beskrywing

DH4N150, die silikon N-kanaalverbeterde VDMOSFET's, word verkry deur die selfbelynde vlak-tegnologie wat die geleidingsverlies verminder, die werkverrigting verbeter en die lawine-energie verbeter. Die transistor kan in verskillende kragskakelingstroombaan gebruik word vir stelsel -miniatuur en hoër doeltreffendheid. Die pakketvorm is TO-3PF, wat ooreenstem met die ROHS-standaard. 

2 funksies 

 Vinnige oorskakeling 

 Lae weerstand (Rdson≤6,5Ω) 

 Lae heklading (tipiese data: 38NC)

 Lae omgekeerde oordragkapasiteit (tipies: 2,9 pf) 

 100% enkelpuls Avalanche energietoets 

3 Aansoeke 

 Power Switch Circuit of Adapter en Charger.