N-kanaalverbeteringsmodus Krag MOSFET 4A 1500V DH4N150B TO-247

N-kanaalverbeteringsmodus Krag MOSFET 4A 1500V

1 Beskrywing

DH4N150, die silikon N-kanaal Verbeterde VDMOSFET's, word verkry deur die self-belynde planêre Tegnologie wat die geleidingsverlies verminder, skakelwerkverrigting verbeter en die stortvloed-energie verbeter. Die transistor kan in verskeie kragskakelkringe gebruik word vir stelselminiaturisering en hoër doeltreffendheid. Die pakketvorm is TO-3PF, wat ooreenstem met die RoHS-standaard. 

2 Kenmerke 

 Vinnige skakeling 

 Lae AAN-weerstand (Rdson≤6.5Ω) 

 Lae heklading (tipiese data: 38nC)

 Lae omgekeerde oordragkapasitansies (tipies: 2.9pF) 

 100% Enkelpulsstortingenergietoets 

3 Toepassings 

 Kragskakelaarkring van adapter en laaier.

VDSS	RDS(aan) (TIP)	ID
1500V	4,9Ω	4.0A