MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 4A 1500V DH4N150B TO-247

MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 4A 1500V

1 Descriptif

DH4N150, les VDMOSFET améliorés à canal N en silicium, sont obtenus par la technologie planaire auto-alignée qui réduit la perte de conduction, améliore les performances de commutation et augmente l'énergie d'avalanche. Le transistor peut être utilisé dans divers circuits de commutation de puissance pour une miniaturisation du système et un rendement plus élevé. La forme du colis est TO-3PF, qui est conforme à la norme RoHS. 

2 Caractéristiques 

 Commutation rapide 

 Faible résistance ON (Rdson≤6,5Ω) 

 Faible charge de grille (données typiques : 38 nC)

 Faibles capacités de transfert inverse (typique : 2,9 pF) 

 Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 % 

3 candidatures 

 Circuit de l'interrupteur d'alimentation de l'adaptateur et du chargeur.

VDSS	RDS (activé) (TYP)	IDENTIFIANT
1500V	4,9Ω	4,0A