Mode d'amélioration du canal N MOSFET 4A 1500V DH4N150B TO-247

Mode d'amélioration du canal N MOSFET 4A 1500V

1 Description

Le DH4N150, le VDMOSFET amélioré en silicium N en silicium, est obtenu par la technologie plane auto-alignée qui réduit la perte de conduction, améliore les performances de commutation et améliore l'énergie de l'avalanche. Le transistor peut être utilisé dans divers circuits de commutation d'alimentation pour la miniaturisation du système et une efficacité plus élevée. Le formulaire de package est à-3PF, conforme à la norme ROHS. 

2 caractéristiques 

 Commutation rapide 

 Faible sur la résistance (RDSON≤6,5Ω) 

 Charge de porte basse (données typiques: 38nc)

 Capacités de transfert inverse faibles (typiques: 2,9pf) 

 Test d'énergie à option à impulsion à 100% unique 

3 applications 

 Circuit d'interrupteur d'alimentation de l'adaptateur et du chargeur.