N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 4A 1500V DH4N150B TO-247

N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 4A 1500V

1 Опис

DH4N150, кремнієвий N-канальний покращений VDMOSFET, отриманий за допомогою саморегульованої планарної технології, яка зменшує втрати провідності, покращує продуктивність перемикання та підвищує енергію лавини. Транзистор можна використовувати в різних схемах перемикання потужності для мініатюризації системи та підвищення ефективності. Форма упаковки – TO-3PF, що відповідає стандарту RoHS. 

2 Особливості 

 Швидке перемикання 

 Низький опір увімкнення (Rdson≤6,5Ω) 

 Низький заряд затвора (типові дані: 38 нКл)

 Низька зворотна ємність передачі (типова: 2,9 пФ) 

 Тест лавинної енергії 100% одного імпульсу 

3 Додатки 

 Схема вимикача живлення адаптера та зарядного пристрою.

VDSS	RDS (увімкнено) (TYP)	ID
1500В	4,9 Ом	4.0A