N-канальний режим посилення живлення MOSFET 4A 1500V DH4N150B TO-247

N-канальний режим посилення потужності MOSFET 4A 1500V

1 опис

DH4N150, кремнієвий N-канал посилений VDMOSFETS, отримується за допомогою самовирівненої планарної технології, яка зменшує втрати провідності, покращує ефективність перемикання та покращує енергію лавини. Транзистор може бути використаний у різних схемах перемикання живлення для мініатюризації системи та більш високої ефективності. Форма пакету-до 3PF, що відповідає стандарту ROHS. 

2 особливості 

 Швидке перемикання 

 Низька опір (rdson≤6,5ω) 

 Низький заряд воріт (типові дані: 38nc)

 Низька ємність зворотного передачі (типова: 2.9pf) 

 100% випробування на енергетику з одноразовим лавином 

3 програми 

 Схема вимикача живлення адаптера та зарядного пристрою.