Njia ya Uboreshaji wa N-chaneli MOSFET 4A 1500V DH4N150B TO-247

Njia ya Uboreshaji wa N-channel Nguvu ya MOSFET 4A 1500V

1 Maelezo

DH4N150 , VDMOSFET vilivyoboreshwa vya silicon N-channel, hupatikana kwa Teknolojia ya planar iliyojipanga ambayo hupunguza upotevu wa upitishaji, kuboresha utendaji wa kubadili na kuimarisha nishati ya banguko. Transistor inaweza kutumika katika mzunguko mbalimbali wa kubadili nguvu kwa miniaturization ya mfumo na ufanisi wa juu. Fomu ya kifurushi ni TO-3PF, ambayo inalingana na kiwango cha RoHS. 

2 Sifa 

 Kubadilisha Haraka 

 Upinzani mdogo wa ON (Rdson≤6.5Ω) 

 Utozaji wa Lango la Chini (Data ya Kawaida: 38nC)

 Uwezo wa Chini wa uhamisho wa Reverse(Kawaida:2.9pF) 

 100% Jaribio la Nishati ya Pulse Moja ya Banguko 

3 Maombi 

 Mzunguko wa kubadili nguvu ya adapta na chaja.

VDSS	RDS(imewashwa)(TYP)	ID
1500V	4.9Ω	4.0A