N-Channel Uimarishaji wa Njia ya Nguvu MOSFET 4A 1500V DH4N150B TO-247

N-Channel Uimarishaji wa Njia ya Nguvu MOSFET 4A 1500V

Maelezo 1

Dh4N150, Silicon N-channel iliyoimarishwa VDMOSfets, hupatikana na teknolojia ya sayari iliyojipanga ambayo hupunguza upotezaji wa uzalishaji, kuboresha utendaji wa kubadili na kuongeza nishati ya avalanche. Transistor inaweza kutumika katika mzunguko wa kubadili nguvu kwa mfumo miniaturization na ufanisi wa juu. Fomu ya kifurushi ni kwa-3PF, ambayo inaambatana na kiwango cha ROHS. 

Vipengele 2 

 Kubadilisha haraka 

 chini juu ya upinzani (rdson≤6.5Ω) 

 Malipo ya lango la chini (data ya kawaida: 38NC)

 Uwezo wa chini wa kuhamisha (kawaida: 2.9pf) 

 100% Mtihani wa nishati ya kunde moja 

Maombi 3 

Mzunguko wa kubadili nguvu ya adapta na chaja.